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    山東恒達(dá)硅材料科技有限公司

如何防止氨基硅烷表面功能的喪失

2023-06-06 恒達(dá)化工

如何防止氨基硅烷表面功能的喪失

氨基硅烷是用于官能化二氧化硅表面的常見偶聯(lián)劑。3- 氨基丙基硅烷官能化二氧化硅表面在水介質(zhì)中的應(yīng)用遇到了一個主要問題:在 40 °C 的溫度下暴露于水中時,共價連接的硅烷層會脫落。這是由于胺官能團(tuán)催化硅氧烷鍵水解所致。為了解決表面功能喪失的問題,并找到可以制備水解穩(wěn)定的胺功能化表面的條件,我們使用不同類型的氨基硅烷進(jìn)行了硅烷化。根據(jù)反應(yīng)條件和氨基硅烷的結(jié)構(gòu)特征,研究了硅烷衍生層的水解穩(wěn)定性。與氣相在高溫下或甲苯在室溫下制備的硅烷層相比,在無水甲苯中在高溫下制備的硅烷層密度更大,表現(xiàn)出更強(qiáng)的水解穩(wěn)定性。在所有 3-氨基丙基烷氧基硅烷衍生層中都觀察到了表面功能性的廣泛喪失,這與烷氧基基團(tuán)的數(shù)量和性質(zhì)無關(guān)。由 N-(6-氨基己基)氨基甲基三乙氧基硅烷(AHAMTES)衍生的氨基硅烷單層的水解穩(wěn)定性表明,通過控制氨基硅烷中烷基連接體的長度,可以最大限度地減少胺催化的脫離。

引言

氨基丙基烷氧基硅烷具有雙官能團(tuán)性質(zhì),因此被廣泛用作偶聯(lián)劑1,2。由于表面化學(xué)與生命和環(huán)境科學(xué)的相關(guān)性越來越高,它們在水介質(zhì)中的應(yīng)用也得到了快速發(fā)展3-9。10 出于同樣的原因,氨基烷氧基硅烷比烷基烷氧基硅烷對水的反應(yīng)性更強(qiáng),這可能導(dǎo)致氨基硅烷在溶液中發(fā)生不受控制的聚合/聚合反應(yīng)。此外,胺基團(tuán)還能與表面硅醇基團(tuán)發(fā)生氫鍵反應(yīng)。因此,由于存在垂直(圖 1a)和水平(圖 1b)定位的硅烷分子,共價連接的氨基硅烷層通常具有較低的接枝密度10。

氨基丙基三乙氧基硅烷(APTES)和 3-氨基丙基二甲基乙氧基硅烷(APDMES)是兩種常用的氨基硅烷。本報告中討論的硅烷的化學(xué)結(jié)構(gòu)和縮寫如圖 2 所示。由于 APDMES 分子中只有一個乙氧基,因此更容易控制其與二氧化硅的反應(yīng),并可生成胺功能化單層。APTES 因其成本較低而更常用。Fadeev 和 McCarthy 指出,硅烷分子含有多個反應(yīng)位點,會導(dǎo)致硅烷層結(jié)構(gòu)的復(fù)雜性。11APTES 每個分子有三個乙氧基,能夠在有水的情況下聚合,從而產(chǎn)生多種可能的表面結(jié)構(gòu):共價連接、二維自組裝(水平聚合)和多層(垂直聚合)。不過,要在有機(jī)溶劑中形成 APTES 多層,界面上必須有一些水12 ,硅烷層中質(zhì)子化胺和水解乙氧基的數(shù)量取決于表面水的含量13。在將反應(yīng)條件(即溶劑、水量、反應(yīng)溫度和時間以及硅烷濃度)與硅烷層結(jié)構(gòu)(厚度、 表面粗糙度和鍵合性質(zhì))相關(guān)聯(lián)方面,已經(jīng)花費了大量精力14-21。

有關(guān)氨基硅烷的大部分文獻(xiàn)都側(cè)重于制備具有可控厚度和形貌的共價硅烷附著層的反應(yīng)條件,而附著氨基硅烷層的水解穩(wěn)定性對于水介質(zhì)中功能化基材的應(yīng)用和進(jìn)一步衍生至關(guān)重要。1,2玻璃纖維增強(qiáng)聚合物復(fù)合材料在熱水中進(jìn)行靜態(tài)浸泡試驗,以評估粘合接頭的強(qiáng)度,結(jié)果表明界面上的硅烷偶聯(lián)劑可改善復(fù)合材料的機(jī)械性能。1 盡管人們一致認(rèn)為硅烷分子和二氧化硅表面之間的化學(xué)鍵是確保附著硅烷層水解穩(wěn)定性的必要條件,但在某些條件下硅-O-硅連接也會發(fā)生水解。例如,聚二甲基硅氧烷中的硅氧烷鍵僅在 pH 值為 2 和 12 的范圍內(nèi)對水解穩(wěn)定。2 Fadeev 等人最近提出,酸/堿催化的硅氧烷鍵水解是 R'(CH3)2SiX(其中 -X 為 -Cl 或 -N(CH3)2)類型的其它硅烷取代共價連接的 R(CH3)2Si-單層的原因。

本報告研究了氨基硅烷衍生層的水解穩(wěn)定性與硅烷化條件和硅烷性質(zhì)的關(guān)系。與氣相或室溫下制備的硅烷層相比,在高溫下無水甲苯中制備的硅烷層堆積密度更高,水解穩(wěn)定性也更強(qiáng)。本研究中考察的所有 3-aminopropylsilane 衍生層都經(jīng)歷了廣泛的水解降解,這歸因于硅烷固有的結(jié)構(gòu)特征,即伯胺可以配位到硅中心,并通過形成穩(wěn)定的五元環(huán)催化水解。此外,還報道了使用一種市售的氨基硅烷--N-(6-氨基己基)氨基甲基三乙氧基硅烷制備水解穩(wěn)定的氨基硅烷單層,這說明可以通過控制烷基連接體的長度來抑制分子內(nèi)催化作用,從而最大限度地減少胺催化的脫落。

實驗

概況

硅片取自 International Wafer Service(100 取向,摻雜 P/B,電阻率 1-10 Ωcm,厚度 450-575 μm)。3-aminopropyldimethylethoxysilane (APDMES)、3-aminopropyltriethoxysilane (APTES)、3-aminopropyltrimethoxysilane (APTMS)、propyldimethylmethoxysilane (PDMMS) 和 N-(6-aminohexyl)aminomethyltriethoxysilane (AHAMTES)購自 Gelest, Inc.,并儲存在氮氣環(huán)境下的 Schlenk 燒瓶中。家用純化水(反滲透)使用 Millipore Milli-Q 系統(tǒng)進(jìn)一步純化,該系統(tǒng)包括反滲透、離子交換和過濾步驟(18.2 MΩcm)。甲苯(HPLC 級,F(xiàn)isher)通過溶劑凈化系統(tǒng)(Pure Solv,Innovative Technology Inc.) 其他試劑按費雪公司提供的原樣使用。所有玻璃器皿均在堿?。溲趸浽?2-丙醇和水中的溶液)中清洗,然后用蒸餾水沖洗(3 次),并儲存在 110 °C 的潔凈烘箱中,直至使用。

儀器

厚度測量使用 LSE 斯托克斯橢偏儀進(jìn)行。光源是波長為 632.8 nm、入射角為 70°(從法線到平面)的氦氖激光。厚度使用以下參數(shù)計算:空氣,no = 1;氧化硅和硅烷衍生層,n1 = 1.46;11,14,17 硅襯底,ns = 3.85 和 ks = -0.02。根據(jù)制造商的規(guī)定,測量誤差在 1 ? 以內(nèi)。除非另有規(guī)定,否則報告厚度值的標(biāo)準(zhǔn)偏差(對至少三個獨立批次制備的四個樣品中的每個樣品進(jìn)行三次測量的平均值)在儀器誤差范圍內(nèi)。接觸角的測量采用 Rame-Hart 伸縮測角儀,配有 Gilmont 注射器和 24 號平頭針。探針液體為 Milli-Q 水。在向液滴中加入探針液和從液滴中抽出探針液時,分別記錄動態(tài)推進(jìn)角 (θA)和后退角 (θR)。所報告的接觸角值的標(biāo)準(zhǔn)偏差小于 2°,該標(biāo)準(zhǔn)偏差是對至少三個不同批次制備的樣品中的每個樣品進(jìn)行四次測量的平均值。原子力顯微鏡圖像是通過 Veeco Metrology Dimension 3100 原子力顯微鏡獲得的,該顯微鏡的硅尖在攻絲模式下工作。使用 Nanoscope 軟件確定表面特征的粗糙度。

硅晶片的功能化

將硅晶片切成 1.3 x 1.5 厘米的小塊,然后浸入新配制的食人魚溶液中清洗 1 小時(注意:食人魚溶液會與有機(jī)物發(fā)生劇烈反應(yīng)),該溶液含有 7 份濃硫酸和 3 份 30% 過氧化氫。然后將晶片從溶液中取出,用大量的水沖洗,并在 110 °C 的潔凈烘箱中干燥 30 分鐘。氣相硅烷化是將剛清洗過的晶片懸浮在一個裝有 ~0.5 mL 硅烷的密閉 Schlenk 燒瓶中,在 70 °C 下放置一段時間。樣品與液態(tài)硅烷之間沒有接觸。在氮氣環(huán)境下,在 25 mL 含有 0.5 mL 硅烷的無水甲苯中,于 20 °C 或 70 °C 下進(jìn)行溶液相硅烷化,并保持所需的時間。然后分別用甲苯(2 次)、乙醇(2 次)和水(2 次)沖洗晶片,并在 110 °C 的潔凈烘箱中干燥 15 分鐘。冷卻后立即進(jìn)行表征。

硅烷衍生層的水解穩(wěn)定性

然后用水沖洗樣品,并在 110 °C 的烘箱中干燥 15 分鐘,再進(jìn)行表征。

結(jié)果與討論

如實驗部分所述,使用 APDMES 在不同的反應(yīng)條件下進(jìn)行硅烷化,反應(yīng)時間保持在 24 小時,以確保反應(yīng)完成。作為硅烷化后處理過程的一部分,使用甲苯、乙醇和水進(jìn)行漂洗,以去除物理吸附的硅烷,并水解附著在硅烷層中的任何殘留乙氧基。此外,還評估了在氮氣流、真空和 110 °C烘箱中的干燥情況,以有效促進(jìn)縮合,形成穩(wěn)定的硅氧烷鍵。結(jié)果(未顯示)表明,烘箱干燥是促進(jìn)縮合和硅氧烷鍵形成的必要條件,這與文獻(xiàn)報道一致16。

將硅烷化樣品在 40 °C 的水中浸泡 24 小時和 48 小時,考察了附著的 APDMES 層的穩(wěn)定性。選擇 40 °C 是為了模擬(以略微加速的方式)生物介質(zhì),在生物介質(zhì)中通常會使用帶或不帶附著劑的胺功能化表面。浸泡前后硅烷衍生層的厚度和硅烷化樣品的水接觸角數(shù)據(jù)見表 1。除非另有說明,否則所有報告的厚度值的標(biāo)準(zhǔn)偏差都在 1 ? 的儀器誤差范圍內(nèi)。報告的接觸角值的標(biāo)準(zhǔn)偏差小于 2°。所有反應(yīng)條件下制備的 APDMES 單層都具有非常相似的水接觸角,這與報告的接觸角值 68.4°/45.2° 和 62.5°/38.7° (θA/θR)相一致。 如圖 1b 所示,在 20 °C、甲苯和氣相中反應(yīng)得到的硅烷層厚度略低,這是因為存在水平定位的硅烷。另一方面,在較高溫度和溶液中,分子流動性較高,可以克服胺基團(tuán)和表面硅烷醇之間的氫鍵相互作用。這導(dǎo)致在 70 °C 的甲苯中制備的單層中存在更多垂直定位的硅烷,如圖 1a 所示。因此,在 70 °C 下制備的單層中存在更多垂直位置的硅烷,如圖 1a 所示。

表 1

附著的 APDMES 單層在 40 °C 下與水接觸前后的厚度和水接觸角(θA/θR)數(shù)據(jù)。

初始 暴露 24 小時后 暴露 48 小時后

t (?) c. a. (°) t (?) c. a. (°) t (?) c. a. (°)

APDMES

(甲苯,70°C) 4.7 66/41 3.3 25/12 2.8 28/17

APDMES

(蒸汽,70°C) 3.6 67/42 1.8 20/12 2.0 21/14

APDMES

(甲苯,20°C) 3.5 65/42 0.2 17/10 0.1 11/0

我們曾嘗試在氧化硅基底上制備穩(wěn)定的胺功能化硅烷層。我們首先關(guān)注的是三乙氧基類似物 APTES。盡管預(yù)計胺官能團(tuán)會催化硅氧烷鍵的水解,但我們推測,每個分子與表面硅烷醇和相鄰的 APTES 分子形成的多個硅氧烷鍵可以提供足夠的抗水解能力。使用 APTES 的難點在于胺官能團(tuán)和表面硅醇基團(tuán)10 之間潛在的氫鍵相互作用,以及如前所述的三個乙氧基基團(tuán)導(dǎo)致的多種反應(yīng)模式和硅烷層結(jié)構(gòu)的控制難度11。

APTES 的動力學(xué)研究是在 70 °C 的無水甲苯中進(jìn)行的,在此條件下制備的 APDMES 層密度最高(表 1)。然后將硅烷化樣品浸入 40 °C 的 Milli-Q 水中長達(dá) 48 小時,干燥后重新定性。如表 2 所示,硅烷層的厚度很容易受反應(yīng)時間的控制,這表明存在于無水溶劑和玻璃器皿中的微量水足以制備 APTES 層。硅烷化時間為 3 小時時制備的 APTES 層厚度為 10 ?,與所報道的 APTES 單層 9 ± 1 ? 的厚度相符21。硅烷化時間更長時制備的 APTES 層由于形成了多層而更厚,例如,硅烷化時間為 19 小時時,層厚度為 57 ± 15 ?。制備的 APTES 單層和多層的水接觸角在 38-43°/15-22° (θA/θR)這一較小范圍內(nèi)。較低的接觸角值表明具有暴露胺官能團(tuán)的 APTES 表面具有親水性。文獻(xiàn)中報道的 APTES 層的水接觸角差異很大--一項研究14 的推進(jìn)角范圍在 51° 至 93° 之間,另一項研究21 的推進(jìn)角范圍在 23° 至 70° 之間--這取決于硅烷化條件、Sa

表 2

APTES 衍生硅烷層的厚度與在 70 °C 的甲苯中硅烷化時間和在 40 °C 的水中硅烷化時間的函數(shù)關(guān)系。

硅烷化時間(小時) 初始(埃) 24 小時后(埃) 48 小時后(埃)

1 4 <1 <1

1.5 4 <1 <1

3 10 1 1

19 57 ± 15 2 1

為了確認(rèn) 3-氨基丙基硅烷層在水介質(zhì)中的脫落機(jī)理,在 70 °C 的甲苯中用正丙基二甲基甲氧基硅烷(PDMMS)進(jìn)行了不同時間的對照實驗。結(jié)果如圖 3 所示。另一個有趣的特點是,PDMMS 的硅烷化速率明顯慢于氨基硅烷(表 1 和表 2),2)這表明胺官能團(tuán)在催化氨基硅烷附著方面發(fā)揮了作用。硅烷化時間分別為 2 小時、24 小時和 72 小時時制備的 PDMMS 衍生層的接觸角分別為 35°/21°、53°/40°、70°/60°,這與硅烷層厚度的增加是一致的。此外,這些接觸角值并不比 APDMES 和 APTES 衍生層的接觸角值高,這表明水可以在類似程度上滲透 PDMMS 層。因此,PDMMS 衍生物層的水解穩(wěn)定性表明了胺官能團(tuán)在氨基硅烷附著和脫離機(jī)制中的催化作用。

本研究的其余部分涉及選擇備用氨基硅烷,以便制備水解穩(wěn)定的硅烷層。由于形成穩(wěn)定的五元環(huán)狀中間體是胺催化的可疑模式,因此我們將注意力轉(zhuǎn)向了具有不同長度烷基連接體的氨基硅烷,這樣就不利于在催化步驟中形成環(huán)狀結(jié)構(gòu)。N-(6-aminohexyl)aminomethyltriethoxysilane (AHAMTES)是一種市場上可買到的經(jīng)濟(jì)型硅烷,符合這一標(biāo)準(zhǔn)。如圖 4 和表 3 所示,對使用 AHAMTES 進(jìn)行硅烷化的動力學(xué)進(jìn)行了研究,并對硅烷化樣品的水解穩(wěn)定性進(jìn)行了檢測。

AHAMTES 的硅烷化動力學(xué)與 APTES 相似,這表明由于 AHAMTES 不可能采用分子內(nèi)機(jī)制,因此胺基團(tuán)在分子間催化附著的作用非常重要。AHAMTES 多層膜初始厚度(24 小時)的標(biāo)準(zhǔn)偏差較大,這是由于在制備三個不同批次的樣品時,夏季的濕度變化造成的;而同一批次制備的樣品之間的差異很小。圖 4 中最顯著的特征是,無論制備的硅烷層的初始厚度是多少,浸水后基底上都會殘留約 10 ? 厚的硅烷層(考慮到硅烷的分子大小,這相當(dāng)于緊密堆積的 AHAMTES 單層)。殘留硅烷層是穩(wěn)定的,因為所有降解都發(fā)生在浸泡的頭 24 小時內(nèi),并且在浸泡 24 小時到 48 小時之間沒有觀察到額外的損失(表 3)。

圖 5 顯示了硅烷化時間為 1 小時和 24 小時時制備的 AHAMTES 層的原子力顯微鏡圖像,以及同一批樣品在水中浸泡 24 小時后的圖像。圖中還顯示了每個樣品的硅烷層厚度和均方根粗糙度。為了與硅烷化時間為 1 小時時制備的單層樣品形成對比,在 24 小時硅烷化條件下選擇了一批厚度較大的樣品。硅烷化 1 小時后,單層相對光滑,浸入水中后厚度和表面特征的變化可以忽略不計,這表明硅烷層沒有發(fā)生水解降解。另一方面,在硅烷化 24 小時后制備的多層樣品上出現(xiàn)了粗糙的 “島嶼 ”特征。

浸水后,硅烷層的厚度會急劇下降為單層,但剩余硅烷層的表面特征與初始多層硅烷層的表面特征相似。雖然殘余硅烷層的厚度和胺含量相當(dāng),但在水性應(yīng)用中,硅烷化時間為 1 小時制備的單層比硅烷化時間更長制備的多層要好:這樣可以避免降解的硅烷分子瀝濾到水性環(huán)境中,而且單層表面的胺密度更均勻。

表 3

AHAMTES 衍生硅烷層的厚度和水接觸角(θA/θR)數(shù)據(jù)與在 70 °C 的甲苯中硅烷化時間和在 40 °C 的水中暴露后的硅烷化時間的函數(shù)關(guān)系。

硅烷化時間(小時) 初始 暴露 24 小時后 暴露 48 小時后

t (?) c. a. (°) t (?) c. a. (°) t (?) c. a. (°)

1 11 ± 1 49/21 9 ± 1 45/19 10 ± 1 43/20

2 14 ± 2 51/17 10 ± 3 43/16 10 ± 2 45/16

4 22 ± 2 50/19 9 ± 3 44/18 10 ± 1 43/20

8 27 ± 3 50/22 9 ± 1 44/18 13 ± 1 48/17

16 30 ± 3 55/23 11 ± 1 45/20 12 ± 1 44/19

24 39 ± 26 54/18 12 ± 1 48/20 14 ± 1 48/22

四種樣品的前進(jìn)和后退水接觸角都在 45-54°/18-21° (θA/θR)的較小范圍內(nèi)。與其他三個樣品相比,多層樣品的前進(jìn)接觸角明顯較高,后退接觸角略低,因此滯后(θA-θR)較大,這與粗糙度對接觸角的影響一致??偟膩碚f,這些 AHAMTES 層的水接觸角較低,這表明胺基團(tuán)暴露于表面,使硅烷層具有親水性。這表明在暴露的胺基團(tuán)上附著其他試劑是可行的。

摘要

在所有研究條件下,所有由 3-氨基丙基硅烷制備的表面都會發(fā)生水解,這表明γ-氨基丙基硅氧烷結(jié)構(gòu)比其他氨基烷基硅氧烷具有更高的固有活性,這主要是由于它們能夠形成穩(wěn)定的環(huán)狀中間體。與本文所述的其他氨基硅烷衍生表面相比,AHAMTES 單層(無論是直接制備的還是由降解多層產(chǎn)生的)的水解穩(wěn)定性更為特殊。同樣值得注意的是,AHAMTES 多層膜降解為單層膜后不會進(jìn)一步降解。

AHAMTES 衍生單層似乎對水解具有抵抗力,這表明無論是分子內(nèi)還是分子間的胺催化作用都無法實現(xiàn)。AHAMTES 多層的水解受阻表明,這些層的密度較低(缺陷較多),可以進(jìn)行分子間胺催化水解。其他烷基鏈節(jié)比丙基鏈節(jié)短或長的氨基硅烷也可能是水性應(yīng)用的理想候選物質(zhì)。

致謝

美國國立衛(wèi)生研究院的 AREA 基金(獲獎編號:2R15EB139-2)和卡米爾和亨利-德雷福斯基金會的亨利-德雷福斯教師學(xué)者獎提供了資金支持。

參考文獻(xiàn)

Plueddemann EW. 硅烷偶聯(lián)劑。2. 以及其中引用的參考文獻(xiàn)。

Zisman WA. Ind Eng Chem Prod Res Dev. 1969; 8:98. 及其引用的參考文獻(xiàn)。

Wang YP, Yuan K, Li QL, Wang LP, Gu SJ, Pei XW. Mater Lett.

El-Ghannam AR, Ducheyne P, Risbud M, Adams CS, Shapiro IM, Castner D, Golledge S, Composto RJ. J Biomed Mater Res Par A. 2004; 68:615. [PubMed] 唐 H、張 W、耿旭。

Tang H, Zhang W, Geng P, Wang QJ, Jin LT, Wu ZR, Lou M. Anal Chim Acta. 2006;562:190.

Nakagawa T, Tanaka T, Niwa D, Osaka T, Takeyama H, Matsunaga T. J Biotech. 2005;116:105.[PubMed]

Martwiset S, Koh AE, Chen W. Langmuir. 2006;22:8192. [PMC免費文章] [PubMed] [PMC免費文章] [PubMed]。

Charles PT, Vora GJ, Andreasdis JD, Fortney AJ, Meador CE, Dulcey CS, Stenger DA. Langmuir. 2003;19:1586.

Hreniak A, Rybka J, Gamian A, Hermanowicz K, Hanuza J, Maruszewski KJ. Lumin. 2007;122:987.

Kanan SM, Tze WTY, Tripp CP. Langmuir. 以及其中引用的參考文獻(xiàn)。

Fadeev AY, McCarthy TJ. Langmuir. 2000;16:7268.

Engelhardt H, Orth P. J Liq Chromatogr. 1987;10:1999.

Caravajal GS, Leyden DE, Quinting GR, Maciel GE. Anal Chem. 1988;60:1776.

Howarter JA, Youngblood JP. Langmuir. 2006;22:11142. [PubMed]

Metwalli E, Haines D, Becker O, Conzone S, Pantano CG. J Coll Int Sci. 2006;298:825. [PubMed]

Zhang F, Srinivasan MP. Langmuir. 2004;20:2309. [PubMed]

Vandenberg ET, Bertilsson L, Liedberg B, Uvdal K, Erlandsson R, Elwing H, Lundstron I. J Coll Int Sci. 1991;147:103.

Ishida H. Polym Comp. 1984;5:101.

Moon JH, Shin JW, Kim SY, Park JW. Langmuir. 1996;12:4621.

Jonsson U, Olofsson G, Malmqvist M, Ronnberg I. Thin solid Films. 1985;124:117.

Siquiera Petri DF, Wenz G, Schunk P, Schimmel T. Langmuir. 1999;15:4520.

Krumpfer JW, Fadeev AY. Langmuir. 2006;22:8271. [PubMed]

Etienne M, Walcarius A. Talanta. 2003;59:1173. [PubMed]

Wang G, Yan F, Teng ZG, Yang WS, Li TJ. Progress in Chemistry. 2006;18:239.